ترانزیستورهای کاربید سیلیکون (SiC) نوع جدیدی از دستگاه های الکترونیک قدرت هستند که در مقایسه با ترانزیستورهای سنتی مبتنی بر سیلیکون، سرعت سوئیچینگ سریع تر، تلفات توان کمتر و تحمل دمای بالاتر را ارائه می دهند.این آنها را برای استفاده در کاربردهای با کارایی بالا مانند وسایل نقلیه الکتریکی، سیستم های انرژی تجدیدپذیر و تجهیزات صنعتی ایده آل می کند.

اخیراً یک ترانزیستور SiC جدید توسط محققان ساخته شده است که حتی کارآمدتر و سریعتر از طرح های قبلی است.ترانزیستور جدید که ترانزیستور SiC "کانالی عمودی" نام دارد، ساختار منحصر به فردی دارد که امکان کنترل بهتر میدان الکتریکی درون دستگاه را فراهم می کند.این منجر به سرعت سوئیچینگ سریع تر و تلفات توان کمتر می شود که به نوبه خود منجر به کارآمدتر شدن سیستم های الکترونیک قدرت می شود.

انتظار می رود ترانزیستور SiC کانال عمودی دارای طیف گسترده ای از کاربردها از جمله در وسایل نقلیه الکتریکی، مراکز داده و سیستم های انرژی تجدید پذیر باشد.همچنین انتظار می رود که نقش مهمی در توسعه نسل بعدی سیستم های الکترونیک قدرت ایفا کند که کارآمدتر، فشرده تر و قابل اعتمادتر از فناوری های فعلی هستند.